IBM公司近日发布了它的CMOS 7RF SOI半导体技术，并表示通过绝缘硅技术可以将7个RF前端功能集成到一张CMOS芯片上。

IBM表示将供应面向手机RF前端的单芯片CMOS方案。IBM公司铸造产品总监Ken Torino指出：“IBM的方案将插入损失最小化，把隔离最大化，可以防止手机通话的突然中断，哪怕是最便宜的手机。”

手机中的RF前端功能现在都由5－7块芯片来提供，其中至少有两块要使用昂贵的砷化镓（GaA）技术。IBM表示它的RF前端将不再需要GaA，并能降低无线设备中的芯片数量，从而降低设备成本。据IBM估计，在执行一个单芯片方案之前，它的客户－手机芯片组制造商最初将采用它的技术来把芯片数量减少到2或3套芯片组。

IBM表示，以CMOS方案应用单芯片SOI RF前端的一个主要障碍是天线必须承受的电压浪涌。当用户用一件尼龙外套和手机天线相摩擦时，就会产生高达30V的电压尖峰，进而导致电压浪涌。CMOS技术一般不能承受如此高的电压。IBM表示它采用了一个可将任何浪涌分割到各层的输入，使每个层的电压相对较低，从而解决了电压浪涌问题。

IBM公司半导体研发中心的模拟和混合信号技术开发高级经理Jim Dunn表示：“要将多模式多频段RF开关、复杂开关偏置网络和功率控制器等所有器件集成到一个设备上，CMOS就是完美选择。GaA对于电压浪涌的承受能力确实好于CMOS，但我们的分层结构为我们带来了同样的性能。”

IBM表示将采用其180纳米制程技术来生产用于移动无线设备的RF前端芯片。预计特许半导体公司等厂家合作伙伴会将其芯片的第二资源提供给手机芯片组厂商。

IBM的芯片组客户将从2008开始向手机制造商提供CMOS芯片组。手机厂商有望在2009年推出首款基于IBM技术的手机。IBM表示，预计这种芯片组的最大客户将是那些在中国、印度和拉丁美洲提供入门级低成本手机的供应商。

IBM称，由IBM最大客户群体进行的最初硬件评估已经完成。设计套件将于2008年上半年上市。