东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其已开发了用于Ku波段(12GHz到18GHz)频率范围的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)，使该频率范围在14.5GHz上实现了65.4瓦的输出功率，这也是迄今为止该频率范围所能支持的最高性能水平。该新型晶体管主要应用于卫星微波通信基站，用以传输包括高清晰广播在内的大容量信号。东芝公司计划于2007年底供应该新型功率场效应晶体管的样品，并于2008年3月底进行大规模生产。

Ku波段微波放大器的主要优点是以半导体，特别是氮化镓设备取代传统电子管应用于该带宽，这些晶体管能以更高的微波频率提供优越的高功率特性。

该新型功率场效应晶体管具有高电子迁移率晶体管(HEMT)结构，东芝公司面向Ku波段对该结构进行了优化。该公司用通路孔技术代替了源线焊接，降低了寄生电感，同时改进了Ku波段频率实际应用中的配套电路的整体设计。

用于雷达及卫星微波通信基站的氮化镓功率场效应晶体管将取代电子管用于新设备中，对它们的需求一直稳步增长。东芝公司通过提前将其新型Ku波段功率场效应晶体管进行商业化，将使这一需求得到满足。

10月8日至12日在德国慕尼黑举行的2007欧洲微波国际学术会议上将全面展示该新型氮化镓功率场效应晶体管的详细信息。

背景以及开发目标

卫星微波通信中一度增长的通信流要求信号放大装置具有更高的输出功率，如同开发了更强大的雷达系统。对氮化镓设备的需求尤其突出，同传统砷化镓设备相比，氮化镓设备在高频率上的散热性以及高功率特性方面均具有优势。

东芝公司在面向微波频率应用将氮化镓技术用于功率场效应晶体管方面已处于领先地位。该公司最初面向6GHz频带(2005)以及9.5GHz(2006)频带进行了功率场效应晶体管的开发和营销工作，并且开发的设备在这些频率上实现了世界上最高的输出功率。目前，该公司已将其产品系列扩展到了14.5GHz。东芝公司将继续面向18GHz到30GHz频率（Ka波段）以及更高的频率进行开发工作。