三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。三极管的结构示意图如图1所示，电路符号如图2所示。

从三个区引出相应的电极，分别为基极b，发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。共发射极放大电路

输入信号加在三极管的基极， 输出信号由集电极取出，发射极作输入回路和输出回路的公共电极时的放大电路，称为共发射极放大电路，图2.1.1为基本共发射极放大电路。在电子 设备中，它主要用于电压放大

(a)　NPN型管 (b)　PNP型管

图2.1.1　基本共发射极放大电路

图2.1.1(a)虚线框内为选用NPN型三极管的共发射极放大电路，VCC为正直流电压源。 Rb1和Rb2为基极上偏置电阻和下偏置电阻，作用是保证三极管基极有合适的直流电压VBQ， 这种偏置电路称为分压式偏置电路。Rc为集电极电阻，作用是将三极管的集电极信号电流Ic变换成集 电极信号电压Vc。Re为发射极电阻，具有稳定直流工作点的作用，因此，这种偏置电路又称为射极偏 置电路。Rb1、Rb2、Rc和Re的选择必须保证三极管工作在放大区，即发射结 正偏，集电结反偏，还要保证输出电压不进入三极管的饱和区和截止区，即不产生饱和、截止失真。

Vs为信号源电压有效值，并设vs=Vsm ，Rs为信号源内阻。Vi和Vo分别为放大电路的输入电压和输出电压的有效值。 RL为放大电路的负载。

Ce为发射极旁路电容，作用是使三极管集电极的输出信号电流Ic 不在Re上产生交流压降而直接入地。Cb1和Cb2分别为输入和输出耦合电容，作用 是传送交流，隔离直流，又称为隔直电容。这三个电容在使用频率不很高(几十千赫兹以下)时，都应选容量较大的电解 电容。

如果三极管选用PNP型，VCC选用负直流电压源，以保证发射结正偏，集电结反偏。 三个外接电解电容也应反接，如图2.1.1(b)所示。共发射极放大电路直流分析（静态分析）：

直流分析就是计算三极管各电极的直流电压和直流电流，是保证三极管工作在放大区的先决条件。 由于直流确定以后是不变化的，又称为静态分析，直流电压和直流电流又称为静态电压和静态电流。在分析直流时先画 出直流通路，因为电容不能通过直流，所以直流通路就是将图2.1.1基本放大电路中的所有外接电容开路，

图2.1.2　共发射极放大电路的直流通路

静态工作点的计算

在图2.1.2（b）中

式中：VBEQ为三极管的基射极间的直流电压（即发射结的导通电压），硅管取0.7V，锗管取0.2V。

集电极直流电流

共基极，共发射极，共集电极放大电路三种基本组态的比较：

静态工作点

具有功率放大作用。 共发射极电路的电压放大倍数和电流放大倍数都大于1；共集电极电路的电压放大倍数虽然小于1，但它有电流 放大；共基电路的电流放大倍数虽然小于1，但它有电压放大。因此三种基本组态电路都具有功率放大作用，所 以称为放大电路。

表中电压放大倍数和电流放大倍数中的负号，是表示输出信号与输入信号的相位相反，不是表示负值。电压放大倍数为负时，电流放大倍数就为正，反之电压放大倍数为正时，电流放大倍数就为负，因此电压放大倍数可以统一表示为如下形式

上面的分析全部是用的NPN型管。如改用PNP型管，除静态电压和电流为负值外， 性能指标与NPN型管完全一样。

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