三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。三极管的结构示意图如图1所示，电路符号如图2所示。

从三个区引出相应的电极，分别为基极b，发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。

共基极电路：

输入信号电压Vi加在发射极， 信号电压Vo由集电极输出的电路称为共基极电路，如图2.5.4　(a)所示。

画共基极电路的交流通路和等效电路如图2.5.4(b)、(c)所示：

（1)输入电阻

由三极管的发射极向右看的输入电阻

上式表明共基极电路的输入电阻R_L' 比基本的共发 射极电路的输入电阻R_i'小得多，一般只有几十Ω。

实际上共基极电路的R_i'也可以用折合概念直接得出，即将基极电阻Rbe折合到发射极要减小1+β倍。

放大器的输入电阻

(2)电流放大倍数

上式中的负号表示定义的电流方向Ie与 实际的电流方向相反。

(3)　电压放大倍数Av 和源电压放大倍数Avs

电压放大倍数

将上式与式(2.3.18)进行比较，表明共基极电路的电压 放大倍数与基本的共发射极电路电压放大倍数相同，但输出电压与输入电压同相。

源电压放大倍数

上式表明共基极电路的输出电阻R0比基 本的共发射极电路的输出电阻R0大得多，并与信号源内电Rs有关。

放大器的输出电阻 与共发射极电路的输出电阻一样。