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MEMS加速计校准提升工业应用中的精度
 
作者:Randy Carver   来源:电子工程专辑    点击数:314   更新时间:2008-3-25
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    如今,汽车安全系统推动了MEMS惯性传感器技术的发展,也大量应用于几个大型领域。大批与汽车安全系统相关的应用促进了对MEMS制造技术,封装概念,质量保证系统以及设计方案创新等方面的巨大投资。这些投资导致了成本效益更高和更可靠的解决方案,这些方案也在许多其他领域里获取了利润。包括游戏平台(Wii Remote)以及许多移动手持应用。此外,MEMS传感器还发现了其他日益增多的工业应用,包括车间安全系统。其中设备位置传感,碰撞检测,防止吊车举起时翻车等都是车间安全系统方面的应用实例,所有这些都得益于MEMS加速计。


车间安全系统的任务是检测潜在的危险操作条件,但不能影响正常的操作。其中最为重要的就是用来检测危险操作条件的传感方案的精度。与其他绝大多数技术方案一样,MEMS加速计也存在成本性能之间的折中。对于汽车和商用应用来说,以最低成本来实现适度的性能即可。但对于一些工业应用,例如车间安全系统,则要求较高的精度。在这种应用中,可靠性,方便性以及方案的元器件成本都很重要。


随着高集成度和更精密的加速计产品的出现,系统设计师需要了解零件是如何校准的,因为这决定着他们是购买这些校准方案还是开发自己的校准程序。本文将讨论双轴加速计的校准工艺,并着重讨论最常见的误差源。


校准的目的和必要性

对于许多MEMS惯性传感器用户来说,校准为他们的传感方案提供了改进性能和折中系统成本的机会,如图1所示。图中所示的仅仅是一般的关系,而性能目标则由能够为用户增值的终端系统性能需求所驱动。


例如,高精度意味着防翻转系统在确定吊车的极限时无需过补偿。精度水平的最佳优化能够扩大吊车的服务范围,或起吊更重的载荷,且没有翻车的危险。所以,在安全传感系统中优化性能的底线就是能够为总系统增值。


与校准相关的成本增加包括直接的材料成本(如ADC,微机,PCB复杂度的增加,以及劳动力成本)和投资成本(校准设备夹具和工程开发成本),不过这些成本将被可预期的系统产品的批量所摊薄。任何校准过程的显要目标都是实现价值更高的性能,同时控制相关的成本。


图1:对于许多MEMS惯性传感器用户,校准为他们的传感方案提供了改进性能和折中系统成本的机会。
图1:对于许多MEMS惯性传感器用户,校准为他们的传感方案提供了改进性能和折中系统成本的机会。


在图1中的性能与成本的对比曲线中,绘出了一个使用良好的校准方案和一个较差的方案之间的差别。通过辨明和降低风险方面的努力,将能够确定一个给定水平的性能改善所需花费的成本。它只需要将一个错误从蓝色区域移动到红色区域。


一个MEMS校准方案的开发可以分为四个简单阶段:

1.确立性能目标

2.确定校准需求

3.设计校准工艺

4.实现校准规则


为加速计校准确立有价值的性能目标将为整个研发过程定调。首先,这些目标将指导传感器的选择,其次,将为分析过程提供指导,而这些分析过程将确定需要校准的行为,最终将决定校准过程的复杂度。这是很关键的,因为过度追求高于所需将导致过高的成本和开发时间。


于是很明显,这要求开发商及早了解加速计传感系统对最终系统性能目标的影响。尽管这种早期投资看起来是不方便的,但它却会导致更好的性能并创造更多的创新机会。本讨论将着重于当校准综合误差小于1%时需要考虑的领域。


图2:典型的加速计校准电路
图2:典型的加速计校准电路


误差敏度分析:一个用来提供校准的加速计性能的典型电路如图2所示。该误差分析确定了每个器件对整个系统精度目标所产生的影响。每个器件都有需要考虑的行为因素。除了MEMS加速计之外,放大器、A/D、复用器和无源元件都将呈现一定的偏差,增益、线形度、噪声、电源以及温度都将呈现独立的行为特征,对于传感器性能来说,这些都需要仔细地考虑在内。


本节将列举对上述性能目标的常见威胁,并在避免具体的电路分析的同时,给出如何快速确定其影响的方法。为了简单,在讨论中将敏度分析集中在传感器性能上。假定其余电路元件的贡献较小。包括一个MEMS传感器的任何线性传感器的理想方程为:





在IEEE-STD-1293-1998中,给出了一个描述典型MEMS加速计误差行为的广泛建模方案。而如下的方程则给出了描述许多常见误差的简单关系:





传感器信号调节电路将包括几个影响该方程的几个元器件。下面列出了这些器件的部分常见误差源:

1. NENS加速计

2. 放大器

3. 无源元件

4. A/D


每个器件都将对灵敏度(增益),偏置(偏差),线性度,噪声,依赖于电源的行为特性以及依赖于温度的特性有所贡献。这里所讨论的校准将集中在传感器上。不过图示准则也适用于其他电路。


由于要求综合误差小于1%,我们可以快速回顾一下商用的MEMS传感器的指标。例如,一款领先加速计应具有如下指标:


灵敏度:+950mV/g到+1050mV/g,等同于5%

偏移:30mg(典型值),相当于3%(1g系统)

  100mg(最大值),相当于10%(1g系统)



本例中,校准过程中必须首要考虑偏移和灵敏度,因为这两者都超出了1%的综合误差目标。


用于低g加速计的一个可靠的校准源是重力。使用重力的最简单方法是通过采用IEEE-STD-1293-1998中所给出的行业标准跌落测试。该跌落测试中,将一个变化范围为+1g的激励施加到被测器件上(DUT)。


该低激励水平不能用于满刻度量程小于20g的加速计的跌落测试,因为所加的校准激励等于或大于满量程的5%。在该量程之外,线性度、分辨率、噪声和其他与量程相关的特性将变得更有影响力,阻止所期望的精度的实现。为了校准,满刻度量程允许4点跌落测试,而非多点跌落测试,但多点测试可以用于线性度误差的计算。



图3:四点跌落测试图解。
图3:四点跌落测试图解。


四点跌落测试的简化图示于图3中。这里,DUT是竖直的。DUT的X轴指向0°倾斜的水平轴。记录DUT的X轴输出。然后将DUT分别旋转90°,180°和270°,记录每点的X轴输出,故对应四个测量位置。



图4:四点跌落数据输出
图4:四点跌落数据输出


由于DUT被旋转,X轴的传感器输出将是倾斜角的正弦函数,如图4所示。实际曲线和理想曲线之差是由于加速计的偏移和灵敏度误差所导致。通过对每个90°旋转增量上的数据进行分析,这些行为可以被特性化并隔离出来。通过对0°和180°点上取平均可以计算出总的正弦曲线的偏移量。在从90°的数据点上减去270°点上的数据,即可得到重力所提供的1g激励的加速计输出的测量值。



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