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Vishay 推出面向高精度仪表应用且具有低于 1.0pC 的超低电荷注入及低于 3pF 的低开关电容的新型模拟多路复用器与开关
 
作者:Vishay   来源:嵌入式技术网    点击数:110   更新时间:2008-5-12
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八款新型器件可提供 0.25nA5nA 的低漏电流以及 -40°C+ 125°C 的更宽泛温度范围

 

宾夕法尼亚、MALVERN —2008 年 5 月 12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出八款面向高精度仪表应用的新型高频、低电荷注入模拟多路复用器与开关。这些产品还是同类器件中首批除标准 TSSOP 与 SOIC 封装外还提供采用 1.8mm×2.6mm 无引线微型 QFN 封装的器件。

四款新型模拟多路复用器与四款新型模拟开关将 0.5pC~1.0pC的超低电荷注入、2pF 及 3pF 的低开关电容、0.25nA~5nA 的漏电流及 66Ω~72Ω 的典型导通电阻完美结合在一起。
 
它们的规格使这些器件非常适用于高频模拟转换、高速多路复用、音视频路由、滤波、增益与频率选择、电平位移及校准。采用上述器件的终端产品将应用于包括高精度仪表、工业控制、医疗仪器、电信与数据通信设备、自动化测试设备 (ATE) 及高速通信系统等领域。


新型多路复用器产品包括 4 信道 DG604、双路 4 信道 DG4052A、8 信道 DG4051A 及三路 2 信道 DG4053A。新型模拟开关产品为四路 SPST DG611A、DG612A 及 DG613A。与业界标准 DG611相比,这些产品可提供更出色的电荷注入、导通电阻及待机电流,同时无需 VL 引脚。新型 DG636 可用作双路 SPDT 模拟开关或双路 2:1 多路复用器。


日前推出的所有这些器件均可通过 +2.7V~+12V 的单电源或 ±2.5V~±5.0V 的双电源运行。它们的电压全部规定为 +3V、+5V 及 ±5V。当从 +5V 或 ±5V 电源运行时,所有控制逻辑输入均确保了 2V 逻辑上限,当通过 3V 电源运行时,这些控制逻辑输入均具有低压逻辑兼容性。


这些多路复用器及开关均能够同样出色地在两个方向上进行导电,并可进行轨至轨模拟信号处理。这些器件具有 -40°C~+125°C 的更宽泛工作温度范围,并且采用多种封装,包括 14 与 16 引线 TSSOP 封装、16 引脚窄型 SOIC 封装以及节省空间的微型 QFN 封装。

 

 

器件规格表:

器件

配置

电荷注入

漏电流

Csoff

rDS(on) 典型

带宽3dB

封装

DG611A

四路 SPST, NC

1.0pC

0.25nA

2pF

72Ω

680

16 引脚 TSSOP16 引脚窄型 SOIC16 引脚微型 QFN

DG612A

四路 SPST, NO

1.0pC

0.25nA

2pF

72Ω

680

DG613A

四路 SPST, NC/NO

1.0pC

0.25nA

2pF

72Ω

680

DG636

双路 SPDT

双路 2:1 多路复用器

0.5pC

0.5nA

2pF

70Ω

610

14 引脚 TSSOP16 引脚微型 QFN

DG604

4 信道

1.0pC

0.5nA

3pF

70Ω

280

DG4051A

8 信道

0.5pC

5nA

3pF

66Ω

300

16 引脚 TSSOP16 引脚窄型 SOIC16 引脚微型 QFN

DG4052A

双路

4 信道

0.5pC

5nA

3pF

66Ω

400

DG4053A

三路

2 信道

0.5pC

5nA

3pF

66Ω

500

 

目前,这些新型模拟开关与多路复用器的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 68 周。

【可从以下网址下载高分辩率图像 (<500K)http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=310

 

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的财富 1,000 强企业,是全球分立半导体(二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC)和无源电子元件(电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器)的最大制造商之一,这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及提供“一站式”服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。

有关 Vishay 的详细信息,可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com



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