通过与常忆科技的密切合作，和舰完成了此项非挥发性记忆体工艺的开发和品质验证，同时开发了不同存储密度的闪存记忆体并达成高良率目标。目前该技术已被多家和舰客户所采用并投产。

　　和舰科技市场暨业务副总裁张怀竹先生表示：“此次成功开发0.18um嵌入式闪存记忆体技术，不仅表明了和舰正不断提升在快速成长的嵌入式非挥发性记忆体市场的领先地位，而且体现了我们能为客户提供最具成本优势和可靠度的解决方案。”

　　常忆科技总裁暨首席执行官王筱瑜先生表示，“常忆科技独有的2T-PMOS单元结构专利是体现这项新嵌入式闪存记忆体显著优势的重要因素，例如低功耗，强抗干扰能力以及最小的记忆体面积。最值得一提的技术成就是在-40°C到105°C的温度范围内，以及在20万重复写入/擦除次数的严苛条件后，数据保存时间在高温下至少可达20年。”

　　和舰科技研发处处长林志光博士表示：“这一新的0.18um嵌入式闪存技术与标准的0.18um CMOS工艺完全兼容，使得和舰目前0.18um制程所有的知识产权库和设计单元资料库能够与之实现整合。而且同一个记忆体经客制化可允许多个不同擦除单位的存在，从而提升系统配置的弹性，满足客户在这方面的特殊需求。”

　　林博士指出：“从一些重要的指标诸如使用寿命及其可靠度，耐久力，存取时间，编程速度，擦写速度，功耗，工作电压，性能以及良率来看，该项技术在目前同类技术当中居于领先的地位。它的竞争优势在于，对需求在8兆位元范围内非挥发性内建记忆体的大多数内嵌式系统应用，提供最小的记忆体面积。此外这项工艺具备可升级性，它的下一代工艺基于更先进的制程，目前正在研发当中，预期其单元面积将缩小至少40%。

　　和舰科技总裁徐建华先生表示：“这是一个管理优化和执行确实的项目，通过与常忆科技的紧密合作，我很高兴看到和舰进一步完善了其嵌入式非挥发性工艺技术平台。在蓬勃发展的嵌入式非挥发性记忆体市场中提供令客户满意的解决方案和服务，将有助于提升和舰市场竞争力与巩固市场领导地位。

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