三星电子(Samsung Electronics)26日举行年度Mobile Forum，揭示NAND型闪存(Flash)下世代42纳米工艺技术，将提前于5月底送样，第3季度步入量产，目前40纳米世代NAND Flash工艺，新帝(SanDisk)和东芝(Toshiba)阵营动作最快，43纳米工艺预计第2季度底前量产，至于海力士(Hynix)48纳米工艺，以及英特尔(Intel)和美光(Micron)阵营35纳米工艺，都预计于第3季度量产，业界担心第3季度之后NAND Flash产能倾巢而出，将再度重演价格战。

NAND Flash大厂甫于2008年第1季度正式进入50纳米工艺世代，但随即进入40纳米世代准备期，以目前4大阵营进度来看，新帝和东芝阵营43纳米仍旧跑第1，预计第2季度底前进入量产，领先其它3大NAND Flash阵营。三星宣布提前42纳米工艺进度，由原本计划于第3季度送样给厂商，提前至5月底至6月初，并有信心于第3季度步入量产，力图与东芝一较高下。

由于海力士48纳米工艺蓝图亦宣称第3季度可量产，加上英特尔与美光阵营35纳米工艺，亦计划在第3季度底之前量产，因此，整个NAND Flash产业在2008年下半年正式步入新1代40和30纳米工艺阶段，恐引爆新一波大战。

不过，过去在50纳米工艺因良率提升不易，量产时程一再延后，这些NAND Flash大厂40纳米以下工艺产品能否顺利在第3季度量产，仍有待观察。内存厂表示，2007年整个NAND Flash产业，70纳米工艺比重高达70％，50纳米比重还不到20％，2008年第1季度50纳米工艺才步上主流地位，尽管目前各家NAND Flash厂对于40和30纳米工艺量产时间，都规划得相当漂亮，但届时真正投片后良率可否如期提升，还是个疑问。

然内存厂仍相当忧心，若是各厂新1代工艺都真的如期在第3季度量产，届时NAND Flash市场可能再度引发价格战。事实上，目前NAND Flash价格处于恐怖平衡状态，NAND Flash大厂产出都不算太多，苹果(Apple)亦于5月开始备货，但终端需求却相当低迷，第3季度需求是否复苏，仍待进一步观察。