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100V 高端/低端N沟道高速 MOSFET 驱动器
 
作者:凌力尔特公司   来源:嵌入式技术网    点击数:193   更新时间:2008-6-12
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2008 6 12 北京 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446,用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和一个凌力尔特公司的 DC/DC 控制器一起,可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器,或者可以配置为快速动作的高压 DC 开关。

这个强大的驱动器以 1.2Ω 下拉阻抗驱动高端 MOSFET 时可以提供高达 2.5A 的电流,而以 0.55Ω 下拉阻抗驱动同步 MOSFET 时可提供 3A 的电流,从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 MOSFETLTC4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 MOSFET。当驱动一个 1000pF 负载时,高端 MOSFET 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间以及低端 MOSFET 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。

LTC4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源,在比地电平高 114V 时还可以工作。另外,该器件在 7.2V 13.5V 的电压范围内同时驱动高端和低端 MOSFET 栅极。

LTC4446EMS8 LTC4446IMS8 采用耐热增强型 MSOP-8 封装,以 1000 片为单位批量购买,每片价格为 1.69 美元。

照片说明100V 高端/低端 MOSFET 驱动器

性能概要:LTC4446

·        高端/低端 N 沟道 MOSFET 驱动器

·        最高电源电压为 100V

·        非常适用于双晶体管正激式转换器

·        高压开关应用

·        大驱动电流:在下拉阻抗为 0.55Ω 时提供 3A 电流

·        7.2V 13.5V 的栅极驱动电压

·        高端栅极:驱动 1000pF 负载时上升时间为 8ns,下降时间为 5ns

·        低端栅极:驱动 1000pF 负载时上升时间为 6ns,下降时间为 3ns

·        为栅极驱动电压提供欠压闭锁

·        耐热增强型 MSOP-8 封装

 

凌力尔特公司简介

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 创建于 1981 年,是一家高性能线性集成电路制造商。凌力尔特于 1986 年成为一家上市公司,并于 2000 年成为由主要上市公司组成的 S&P 500 指数的成员之一。凌力尔特的产品包括高性能放大器、比较器、电压基准、单片滤波器、线性稳压器、DC/DC 变换器、电池充电器、数据转换器、通信接口电路、射频信号修整电路、uModuleTM 产品以及其它众多模拟功能。凌力尔特公司的高性能电路可用于电信、蜂窝电话、如光纤交换机的网络设备、笔记本电脑和台式电脑、计算机外围设备、视频/多媒体装置、工业仪表、安全监控设备、包括数码照相机、MP3 播放器在内的高端消费类产品、复杂医疗设备、汽车用电子设备、工厂自动化、过程控制、军事和航天系统等领域。如需了解更多信息,请登录 www.linear.com.cn



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