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基于0.18μm RF CMOS工艺的低相噪宽带LC VCO设计
 
作者:张俊波,周玉洁   来源:《半导体技术》    点击数:154   更新时间:2008-6-19
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    0 引言

压控振荡器(VCO)是射频集成电路(RF-ICs)中的关键模块之一。近年来随着无线通信技术的快速发展,射频收发机也有了新的发展趋势,即单个收发机要实现宽频率多标准的覆盖,例如用于移动数字电视接收的调谐器一般要实现T-DMB、DMB-T等多个标准,并能覆盖VHF、UHF和LBAND等多个频段。本文所介绍的VCO设计采用如图1(a)所示的交叉耦合电感电容结构,相对于其他结构的VCO来说该结构更加易于片上集成和实现低功耗设计,并且利用LC谐振回路的带通滤波特性,能获得更好的相位噪声性能。


本设计采用TSMC的0.18μm、5层金属的RFCMOS工艺,所用无源器件全部片内集成,其中螺旋电感由第5层金属制成。由于该金属层较厚因而具有较低的寄生串联电阻,保证了螺旋电感具有足够高的Q值。该VCO用于覆盖VHF、UHF和LBAND三个频段的零中频结构接收机(ZERO-IFtuner)。实测结果表明,在1.8 V电源供电的情况下,仅消耗2.7 mA的电流,输出频率实现了在1.65~2.45 GHz的超宽范围内连续可调。在1.65 GHz工作频率下,20 kHz频偏处的相位噪声仅为-87.88 dBc/Hz,完全满足接收机的系统要求。












1 宽带LC VCO设计


本设计的主要目标是要能覆盖800MHz以上的频率范围,中心频率在2 GHz,即覆盖1.6~2.4 GHz。在选择核心电路时采用了图1的拓扑结构,因为相对于其他能实现超宽频率覆盖范围的结构如环形振荡器或松弛振荡器,该结构简单高效,不仅易于片上集成,而且能实现更低的相位噪声。


1.1 LC谐振回路设计


VCO的频率调节范围与可变电容的容值调节范围直接相关。在控制电压的变化范围一定的情况下,一味地增大MOS可变电容的尺寸虽说可以提高Cmax与Gmin的比值,从而实现超宽频率覆盖范围。但这样会导致VCO的增益(KVCO)过高,从频率综合器设计的角度来说这是不可取的,它会使系统的相位噪声恶化。本设计采用开关电容阵列将目标频段划分成若干子频段,子频段内的连续调节则通过控制电压改变可变电容的容值来实现。这样一个较小的MOS可变电容就可以覆盖每个子频段,KVCO也控制在合理的范围之内了。


LC谐振回路主要由三部分构成:高Q值的片上螺旋电感、做在NWELL中的MOS可变电容以及一个提供频率粗调的开关控制的电容阵列,如图2(a)所示。注意C0为MIM电容,具有较高的Q值,因而不会使谐振回路的Q值恶化。6个开关分别控制以2的幂为权重的MIM电容是否接入谐振回路。当开关全部导通时,回路中接人了最多的电容,此时VCO振荡频率最低并具有最小的KVCO;当开关全部断开时,回路中接入了最少的电容,此时VCO振荡频率最高并具有最大的KVCO。VCO振荡频率由公式(1)决定。










式中,Cvar是可变电容的容值,Carray是接入回路的MIM电容容值,Cp是回路中寄生电容的容值。开关的通断仅仅提供了频率的粗调,即选择VCO工作在某一个子频段,而频率的细调是由MOS可变电容实现的。可变电容的尺寸根据公式(2)来选取。考虑到寄生电容的影响,为了保证相邻子频段的频率覆盖是连续的,在控制电压变化范围内可变电容的平均容值应为C0的2~3倍。







图2中电路还有两点需要注意。一是电阻R不能省略,R提供了开关到地的直流通路,如果省略该点电位将浮空,影响开关工作状态。R的阻值也不是越大越好,选取时应考虑版图面积的限制。二是控制开关实现时应选用工艺允许的最小沟道尺寸,这样的好处是一方面能实现最小的导通电阻从而不会给回路带来过多的损耗,另一方面能把回路的寄生电容减小到最低程度从而提高了VCO的最大振荡频率。


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