基于亚微米沟槽技术的新器件具有 60A 时低于 0.50V 至 30A 时低于 0.54V 的超低典型正向压降，以及 +125°C 时 2mA 至 5mA 的超低反向漏电流

宾夕法尼亚、MALVERN — 2008 年 7 月 11 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出最大结温高达 +175°C 的业界首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二极管。30CTT045 与 60CPT045 器件基于亚微米沟槽技术，可提供超低的正向压降以及低反向漏电流，从而可使设计人员提高汽车及其他高温应用中的功率密度。

日前推出的这两款肖特基二极管在 +125°C 时具有超低的最大正向压降，对于 2 x 30A 60CPT045，30A 时典型正向压降低于 0.50V，对于 2 x 15A 30CTT045，15A 时典型正向压降低于 0.50V。这两款器件在 +125°C 时均具有超低的反向漏电流，分别为 5mA 及 2mA，并且参数分布非常紧凑。这两款器件均提供了优化的 VF 与 IR 权衡，可实现更高的系统效率。

30CTT045 与 60CPT045 均为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、反向电池保护、续流、D 级放大器，以及直流到直流模块应用进行了优化。应用所涉及的典型终端产品包括高功率密度 SMPS；台式电脑适配器；服务器、汽车驱动器与控制装置；消费类电子产品，例如 PDP、LCD 及高效的音频系统；移动电子产品，例如笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器。

对于设计人员，这些新型器件采用符合 RoHS 的小型封装，可改善成本功耗比，并且具有 RBSOA，可实现紧凑的低成本设计。30CTT045 采用 TO-220 封装，而 60CPT045 采用 TO-247 封装。

稳定的高击穿电压（一般高于 57V）可适应电压峰值并优化功率密度，在这些二极管中，功率密度增加了 25%。这两款器件坚固耐用，其抗反向雪崩能力提高了 40%，雪崩时部件可得到完全屏蔽，且开关损耗极小。

目前，新型  30CTT045 与 60CPT045 的样品及量产批量已可提供，大宗订单的供货周期为 6～8 周。

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VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及提供“一站式”服务的能力使 Vishay 成为了全球业界领先者。

有关 Vishay 的详细信息，可以访问 Internet 网站 http://www.vishay.com。