该系列不但满足了便携式电子产品微功耗、高可靠、微小型化等要求，还满足了使用安全性和环保的需求。

　　关于STARplug产品系列

　　STARplug有两个系列，即TEA152X系列和TEA162X系列(见表1)。TEA152X系列是早在2000年9月问世的，TEA162X系列则是对TEA152X系列的改进，并于2004年5月定型的，这两者在框图、电路结构、外引线排列及绝大多数电参数都是相同的。所不同的仅在芯片内部高压启动电流源上，TEA152X系列Icharge=1.5mA(典型值)，TEA162X系列Icharge=500uA(典型值)。

注：表1只列出双列直插式封装，表贴的未列出。

　　STARplug采用多芯片结构。所有控制部分用BiCMOS工艺集成在一个芯片上，而功率部分则用EZ-HV工艺做在另一个芯片上，然后在同一个基片上优化组合而成。从制造工艺上看，飞利浦采用了先进的全氧化隔离工艺(或称介质隔离工艺)，因此其有以下特点：

　　1. 可免除锁定效应(锁定效应是CMOS电路特有的一种失效模式)；

　　2. 可以方便地在同一个芯片上实现模拟，数字和功率电路的集成；

　　3. 芯片面积也比标准的PN结隔离要小；

　　4. 漏电流极低，适于高温环境下工作；

　　5. 寄生电容小，通过衬底产生的串扰和EMC的概率很小；

　　6. 抵御外部电火花及反极性的能力强。

　　这些都有利于支撑STARplug的高性能和高可靠性。

　　从电路设计上看，一个重要的特点是提出了谷值转换的概念。

　　一般说来，功率MOS管耗散的功率是开关电源自身功耗的主要来源。它与电源的可靠性，稳定性，效率都密切相关。功率MOS管的功耗通常由三部分组成：

　　1. MOS管截止时的功耗，即VDS为高电平的功耗：这个功耗主要由漏极D和源极S之间的漏电流来决定，与芯片制造工艺有关，IDS(off)通常在微安量级，因此这部分功耗极低，一般可以忽略。

　　2. MOS管导通时的功耗，即VDS为低电平时的功耗，这个功耗主要决定于漏极和源极之间的导通电阻RDS(on)。这与芯片设计的几何参数有关。

　　3. MOS管动态功耗，即MOS管由截止向导通转换，或由导通向截止转换时的功耗。这个功耗可用下式计算：

　　飞利浦的电路设计师，分析了上述公式，认识到要降低开关电源的动态功耗，只能由降低转换时的VDS和负载下降时的f入手。通常VDS为380V左右，如果利用电路谐振将VDS于谷底(接近于0V)时，使MOS管由截止进入导通，则MOS管的动态功耗将下降几个数量级。为此，在电路设计上，加上了谷值检测电路，一旦电路谐振，能正确地测出“谷底”，并在VDS进入“谷底”之时，在栅极G和源极S之间输入经PWM后的脉冲上升沿。

　　上个世纪90年代的PWM芯片，工作频率f大多为固定频率。为了降低功耗，特别是降低待机功率，STARplug采取了可调变频率的灵活电路设计。用户设定的频率为满载时的工作频率。当负载下降时，工作频率也相应下降。从而保证了待机功耗低于100mW。

　　此外，STARplug系列芯片用高压电流源来启动，一旦IC进入正常工作状态，则高压电流源将自动切断，从而减少了电路的功耗。由此可知，电路的整个设计过程。都贯彻了一条减少功耗的思想，正是因为功率MOS管和控制部份都有效地大幅度地减少了功耗，因此就能够将功率器件和控制电路集成在一个封装中，有效地减少了外围元件。另外为了使电路能可靠地工作，还提供了完善的保护功能，包括了逐个周期过流保护、欠压锁定、过压保护、过温保护、绕组短路保护、退磁保护。

　　STARplug功能描述

　　1. STARplug的结构

　　图1是STARplug的内部电路框图。不难看出，图中包括功率MOS管和控制电路两大部分。功率MOS管主要用来实现功率的传输和转换。而控制电路则肩负三大任务：

　　1. 实现所有保护功能的快速反应。

　　2. 谷值电平的准确检测。

　　3. 工作周期的控制(即PWM功能)。

图1：STARplug内部电路框图。

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