此款SRAM是IBM与AMD、飞思卡尔、意法半导体、东芝以及纽约的奥尔巴尼大学纳米科学与工程学院(CNSE)联合开发的。

前一款世界最小SRAM位单元的记录由IBM在2004年创造，是一个大小为0.143mm2的实验性32nm器件。

“在引入高K金属门之前，许多人质疑传统器件结构能否延用至22纳米。今天我们向业界展示了，传统结构在22纳米级别仍然适用。”IBM微电子项目经理Mukesh Khare说。

“我们的栅极长度还不到25纳米，这在几年前还被认为是不可能的。”他补充道。

IBM能够缩小22nm晶体管的一些主要特征尺寸，例如栅极长度、间距和位于相邻栅极之间的触点，并证实器件可以被制造出来。而后者正是过去在0.143mm2后进一步缩小SRAM位单元时遇到的最大障碍。与早期版本不同，如今这款0.1mm2的SRAM位单元可以用适合量产的工具制造。

该SRAM位单元是IBM在位于奥尔巴尼的300mm研究机构采用传统6晶体管设计制造的。这款实验性的22nm器件距离商用还有两个阶段的差距。在转为采用22nm之前，IBM及其合作伙伴表示他们计划第一次先在32nm上用高K电介质与金属栅极来做。

为了制造这款22nm的器件，IBM与其合作伙伴采用了浸没式光刻、高K电介质和金属栅极堆积。

有关此款SRAM位单元的详细情况计划在12月旧金山召开的国际电子元件大会上公布。