随着DRAM产业的严重供过于求与全球经济的持续恶化下，2008年的DDR21GbeTT颗粒价格就从年初的1.76美元下滑至目前的0.92美元，跌幅达48%，DDR26671Gb颗粒跌幅更高达53%，此外DRAM产业经过了长达近二年的亏损甚至近期颗粒价格跌破变动成本后，DRAM厂面临到现金流出与手上现金严重不足的危及存亡之秋，自今年九月开始，DRAM厂如力晶、尔必达、海力士、茂德与华亚等纷纷宣布减产，减产达13%，再再反映出DRAM市场环境的恶劣。

    面对着DRAM产业的冰河时期，DRAM厂从降低制造成本、鼓励员工休假甚至减少投片量来因应这波的不景气，但同时也影响着下游的封测产业，根据集邦科技统计，自DRAM颗粒价格下滑之后，DRAM原厂也要求下游的封测厂商可以共体时艰，降低封装与测试成本，首先封装上来看，封装成本从2007年年初的0.5美元下降至目前均价约0.25美元，下跌了50%，测试方面则是缩短测试时间来降低成本，甚至部份eTT颗粒不经测试就直接出货也时有所闻。

    面对DRAM厂的降价压力与封测厂自身的生存空间，如何降低制造成本则是封测厂最需解决的问题，以目前封测厂来看，封装颗粒的成本不外乎来自于树脂(M/C)、金线与基板(Substrate)这三大部份，其中基板的价格自2007年以来下降了约30%，帮助最为显著，而树脂方面也有约20%的跌幅，而金线虽随着国际金价来波动，但封测厂仍可以在质量无虑的情况下与DRAM厂讨论缩短线宽来降低成本。    

    而在产能利用率方面，随着DRAM市场的不景气，满载的情况已不复见，以封装与测试来分析，今年以来平均封装产能已经下滑了约30%左右，测试产能更下滑了约40%，此外DRAM厂在九月陆续减产之后，预估整体颗粒产出量缩减会在明年一月陆续浮现，也将严重挤压到封测厂的封装与测试产能的利用率。以现阶段来分析，以DRAM测试为主的封测厂只能静待DRAM景气落底，节省资本支出以求生存，再者，非以DRAM测试为主的厂商，则尽量争取非DRAM产品如逻辑、Flash等产来测试以填补产能。

    关于封测厂明年的发展，主要还是考虑于DDR3的转进速度，但以目前各家封测厂来看，除了力成已承接尔必达DDR3订单转进较为积极外，其它台系封测厂对于DDR3切入的时间点仍持保留的态度，主要是因为台系厂方面除了南科与华亚外有生产少量DDR3颗粒外，其余台系厂仍未有生产DDR3颗粒的计划，再者测试DDR3颗粒的速度方面，各家所广泛使用的AdvantestT5593速度仅能测试到1066MHz，面对更高频率的DDR3颗粒如1333MHz甚至1600MHz，都需重新购入新机台，除非DDR3颗粒生产已达经济规模或是有固定的客户签署长期合约确保稳定的颗粒数量来测试，否则对封测厂而言，目前投资DDR3测试机台仍需等待明年下半年整体DRAM产业的回复。