器件采用 PowerPAK^® 1212-8 封装类型，导通电阻与栅极电荷乘积 FOM

在 4.5V 和 10 V 时分别低至 76.6 mΩ-nC 和 117.60 mΩ-nC

宾夕法尼亚、MALVERN —2008 年 12 月 4 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET  功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。

这次Vishay推出的20V 器件包括SiS426DN 和SiR496DP，其中SiS426DN器件采用尺寸 3mm × 3mm 的 PowerPAK  1212-8 封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于 SiS426DN 而言，直流到直流转换器中针对 MOSFET 的此关键优值 (FOM) 在 4.5V 时为 76.6 mΩ-nC，而在 10 V 时为 117.60 mΩ-nC；它在 4.5V 栅极驱动时典型栅极电荷低至 13.2 nC，在 10V 栅极驱动时低至 28 nC。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5V 及 10V 时栅极电荷分别降低 45% 与 36%，FOM 降低 50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。

Vishay 的 30V TurboFET 系列包括采用 PowerPAK 1212-8 封装的新型 Si7718DN 和采用 PowerPAK SO-8 封装的 Si7784DP。两款 MOSFET 在 4.5V 和 10V 时典型栅极电荷分别为 13.7 nC 和 30 nC，且在 4.5V 和 10V 时导通电阻与栅极电荷乘积 FOM 分别为 112.34 mΩ-nC 和 180 mΩ-nC。采用 PowerPAK SO-8 封装的 20V SiS426DN 器件 SiR496DP 也可用于大电流应用。日前推出的所有器件均无卤素，且 100% 通过 Rg 和 UIS 测试。

这些器件将在同步降压转换器中用作高端 MOSFET，通过使用负载点 (POL) 功率转换有助于节省笔记本电脑、稳压器模块 (VRM)、服务器及其他系统的功耗。

目前，采用 TurboFET 技术的第三代功率 MOSFET 可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 10 至 12 周。

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VISHAY SILICONIX简介

Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT)。

创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK) 和更小空间(ChipFET，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。

Siliconix创建于1962年，在1996年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。