意法半导体(ST)日前推出90nm硬盘驱动器(HDD)系统芯片(SoC)，该产品在硬盘控制器、读通道、串行ATA接口(SATA)和内存中集成ST的IP(知识产权)，据称是市场上同类产品中第一个采用90nm制造技术的产品。功能芯片目前正在接受评估测试，该产品在法国Crolles的Crolles2联盟300mm晶圆制造厂生产。

T90读通道IP是由ST开发的，支持300Mbit/s到1.7Gbit/s的数据速率。据介绍，读通道对磁头前置放大器与SATA接口和内存之间传输的数据进行编解码，这种操作需要先进的混合信号技术。这个90nm设计基于ST的Tintoretto读写通道架构，该架构的特点是在所有的硬盘驱动器模式下，数据传输速率高，功耗低。T90支持10位速率代码、逆序编码、媒体噪声优化数据检测、先进缺陷扫描、水平记录、纵向记录、自伺服写技术。ST的90nm固件兼容的读通道开发计划将在性能方面满足消费产品和计算机专用磁盘驱动器的需求，今年年底将推出部分产品。

嵌入式硬盘控制器(HDC)用于管理数据流，在跟踪和搜索操作时控制磁头定位。新产品的HDC基于经过现场证明的ARM技术，内置32位高性能450MHz CPU核心。

ST去年宣布90nm MiPHY(多接口PHY)物理层研制成功。这个宏单元在新产品上提供高速SATA接口，同时还支持采用串行连接的SCSI(SAS)、光通道和PCI Express串口标准的应用，允许针对不同市场的设计快速通过验证，通过优化工程资源降低制造成本。SATA接口数据传输速率3Gbit/s，抖动性能十分优异，低于2ps(随机)和50ps(总体)。

“硬盘驱动器系统芯片的所有功能IP都是内部开发的，这种做法使ST能够满足高性能驱动器制造商的特殊需求。”数据存储产品部总经理Roberto Fantechi表示，“现在，随着第一个90nm系统芯片上市，我们可以在同一芯片空间内提高产品的功能性，这样就能满足市场对更高逻辑门密度、更低的功耗和成本的需求。”